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高電壓技術(shù)練習題(一)
時間:2018-05-25 15:34???來源:電網(wǎng) 招聘單位: 工作地點:
國家電網(wǎng)招聘高電壓技術(shù)練習題(一)
1.氣體放電是氣體中的帶電粒子在電場作用下做定向運動形成導通電流的現(xiàn)象,此時,氣體介質(zhì)導電性(),電阻()。
A. 增強,增大          B. 減弱,增大          C. 增強,減小          D. 減弱,減小
2.下列電離方式中,()只產(chǎn)生電子,沒有正離子出現(xiàn)。
A. 碰撞電離              B. 光電離                  C. 熱電離                  D. 表面電離
3.(多選)下列選項中屬于表面電離的主要形式的有()。
A. 正離子碰撞陰極  B. 光電效應              C. 電子在強電場中運動
D. 強場發(fā)射              E. 熱電子發(fā)射
4.描述氣體間隙放電電壓與氣壓之間關(guān)系的是()。
A. 巴申定律              B. 湯遜理論              C. 流注理論              D. 小橋理論
5.湯遜理論適用氣壓(),Pd()下的放電。
A. 較低,較大          B. 較高,較大          C. 較低,較小          D. 較高,較小
6.巴申定律給湯遜理論以實驗支持,由巴申曲線可知,隨著Pd的變化,擊穿電壓Ub的變化趨勢是()。
A. 先增大后減小      B. 先減小后增大      C. 一直增大              D. 一直減小
7.電暈放電是一種發(fā)生在()電場中的放電現(xiàn)象。
A. 極不均勻              B. 均勻                      C. 稍不均勻              D. 不確定
8.通常我們用電場不均勻系數(shù)來大致劃分稍不均勻場和極不均勻場,當f()時的電場稱為稍不均勻場,當f()時的電場稱為極不均勻場。
A. 小于1,大于2                                        B. 小于2,大于4
C. 小于1,大于4                                        D. 大于2,大于4
9.流注理論認為二次電子崩的主要來源是()電離,很好地解釋了高氣壓長間隙下放電時間和陰極材料的影響等問題。
A. 碰撞電離              B. 光電離                  C. 熱電離                  D. 表面電離
10.棒-板間隙是典型的極不均勻場,其放電過程一般是()。
①非自持放電階段;②先導放電階段:③流注發(fā)展階段;④主放電階段
A. ①②③④       B. ①③②④       C. ①②④③              D. ①④②③
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